10月24日，德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已開始生產基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體。隨著會津工廠的投產，加上德州達拉斯現有的氮化鎵生產基地，德州儀器內部氮化鎵功率半導體的產能將增加四倍。 

德州儀器技術和制造高級副總裁Mohammad Yunus表示：“德州儀器已成功認證了8英寸（200mm）氮化鎵技術，并開始在日本會津工廠進行大規模生產。到2030年，德州儀器內部氮化鎵制造率將增長到95%以上，同時還可以從多個德州儀器工廠采購，確保公司整個氮化鎵半導體產品組合的供應。”德州儀器指出，氮化鎵作為硅的替代材料，在能效、開關速度、電源解決方案的尺寸和重量、整體系統成本以及高溫高壓條件下的性能等方面都具有優勢。德州儀器依托新氮化鎵制造技術，正將氮化鎵芯片的拓展至更高的電壓——從900V開始并逐步提升至更高壓。此外，德州儀器擴展投資還包括今年早些時候在12英寸（300mm）晶圓上成功開發氮化鎵制造工藝的試點。進一步來說，德州儀器擴大的氮化鎵制造工藝完全可轉移到12英寸技術，使公司能夠隨時根據客戶需求進行擴展，并在未來轉向12英寸。值得一提的是，在12英寸氮化鎵方面，除了德州儀器，英飛凌今年9月就已宣布開發出全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓。 

據悉，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產2.3倍數量的芯片，技術和效率顯著提升。英飛凌表示，因為氮化鎵和硅的制造工藝非常相似，其12英寸氮化鎵技術的一大優勢是可以利用現有的12英寸硅晶圓制造設備。后續，英飛凌將根據市場需求進一步擴大GaN產能。 

來源：集邦化合物半導體