國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“碳化硅襯底及其制備方法、半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備”的專利，公開號(hào) CN 119153493 A，申請(qǐng)日期為 2023 年 6 月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開一種碳化硅襯底及其制備方法、半導(dǎo)體器件、電子設(shè)備。碳化硅襯底，包括：第一表面、與第一表面相對(duì)設(shè)置的第二表面。而本申請(qǐng)公開的碳化硅襯底，可以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)的應(yīng)力之差小于或等于 35Mpa，使碳化硅襯底具有較小的應(yīng)力差，以使得碳化硅襯底內(nèi)部的應(yīng)力分布均勻。另外，本申請(qǐng)公開的碳化硅襯底還可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)測(cè)試點(diǎn)的應(yīng)力絕對(duì)值小于或等于 30Mpa，使得碳化硅襯底具有較小的應(yīng)力。基于此，將本申請(qǐng)公開的具有較小應(yīng)力、且內(nèi)部應(yīng)力分布均勻的碳化硅襯底應(yīng)用在半導(dǎo)體器件中，可以使半導(dǎo)體器件具有較高的良率。