半導體產業網獲悉：近日，合盛硅業股份有限公司下屬單位 寧波合盛新材料有限公司成功研發12英寸（300mm）導電型碳化硅（SiC）晶體，并啟動切、磨、拋等加工技術的研究。經過多年的潛心研究與深入鉆研，寧波合盛新材料成功攻克了從高純石墨純化、碳化硅多晶粉料制備到單晶碳化硅生長、襯底加工等全流程的核心技術難關。過去的2024年，公司在碳化硅材料領域取得了重要突破，8英寸碳化硅襯底及已實現規?；慨a。這是公司碳化硅項目研究過程中的重要里程碑，標志著合盛硅業在大尺寸碳化硅晶體、晶片制備技術上已躋身國際先進水平。但合盛硅業并沒有滿足于此，2025年5月，其在更大尺寸晶錠和襯底制備方面也實現較大進展，已突破12英寸的SiC長晶技術。

12英寸晶片

12英寸晶錠

全球碳化硅擴產持續，供應競爭激烈，國際龍頭企業紛紛布局8英寸襯底。目前國際SiC商業化碳化硅襯底以6-8英寸為主，國內企業也開始發布12英寸晶體或襯底。合盛硅業基于自主設計的SiC單晶生長爐以及多年的技術攻關，創新坩堝設計，使用多孔與涂層石墨技術，實現超大晶體所需的高通量生長。

12英寸切割片

12英寸晶體直徑

碳化硅具有高硬度、高熔點、化學穩定性強等特點，加工難度遠高于傳統硅材料，12英寸碳化硅（SiC）晶體的成功研制在半導體產業發展中具有里程碑式的重大意義。大尺寸晶體所生產的晶圓意味著單位面積出芯片數能夠大幅提升，極大地減少了因晶圓邊緣區域無法充分利用而造成的材料浪費，有效降低了功率器件的制造成本，提升經濟效益。同時，SiC器件廣泛用于新能源汽車、光伏發電、5G通信等高效能產業，對能效和體積優化至關重要。大尺寸晶圓的突破將加速這些產業的升級換代。

在全球碳化硅擴產加速、供應競爭激烈的大環境下，國際與國內企業的不同布局策略反映了產業發展的多元態勢。合盛硅業在技術創新上邁出的堅實一步——首次實現12英寸導電型碳化硅晶體生長技術突破，推動國產SiC產業鏈邁入新紀元，更為行業突破國際技術壁壘、實現自主可控發展提供了寶貴的經驗和示范。