氮化鎵集成技術是將多個GaN器件、電路或功能整合到同一芯片上的技術，有助于提高電子器件的性能、降低系統成本、減小尺寸，并增強系統的可靠性。涉及到混合集成、三維集成、系統級封裝、數字/模擬混合集成等。GaN集成技術的發展有助于推動GaN器件在多個領域的應用，包括通信、電源管理、雷達系統等。通過整合不同功能，設計更緊湊、更高性能的電子系統，GaN集成技術將繼續在半導體領域發揮重要作用。

?2023年11月28日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心盛大開幕。本屆論壇為期4天，由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

開幕大會上，香港科技大學教授陳敬帶來了“面向功率、射頻和數字應用的氮化鎵器件技術”的主題報告。功率半導體加速電氣化，GaN有更高的功率密度和更高的效率。報告中分享了高/低端開關的單片集成、當前GaN半橋解決方案、基于超薄緩沖層技術(GaN-on-UTB)的氮化鎵單片半橋集成芯片、基于標準低阻Si襯底的650V GaN集成平臺，p-GaN柵極HEMT的可靠性問題，異構WBG（H-WBG）電源設備，常關GaN/SiC-HyFET的關鍵技術，硅上GaN射頻功率放大器（PA），射頻微波功率放大器模塊技術，硅上GaN E型p-GaN柵極RF HEMT，用于超寬溫度范圍（X-WTR）電子器件的GaN等技術內容。

具有良好控制的均勻性和再現性的既定制造工藝，在低于6GHz時襯底損耗得到很好的抑制適用于低于6GHz應用的射頻性能。無線終端中更高的電池供電電壓可能給GaN-on-Si E-mode RF-HEMTs帶來機會。比GaAs HBT更容易實現高擊穿電壓。

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報告指出，GaN HEMT功率器件的平面特性為各種應用提供了豐富的機會，GaN電力電子，電源集成和可靠性問題至關重要，必須加以解決。硅上GaN RF-HEMT，經濟高效，適用于大容量移動終端，無線網絡。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）

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