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北京大學申請高動態穩定性GaN器件專利,提高GaN HEMT的動態穩定性

發表于:2024-01-17 來源:半導體產業網 編輯:

 據國家知識產權局公告,北京大學申請一項名為“一種高動態穩定性的GaN器件“,公開號CN117410327A,申請日期為2023年1月。專利摘要顯示,本發明公開了一種高動態穩定性的GaN器件,在GaN HEMT的柵極帽層上采用歐姆接觸電極?介質層?柵極互連金屬的結構,該歐姆接觸電極至少與第一耗盡型器件或電阻相連。在器件開啟過程中,歐姆接觸電極的存在能夠消除閾值電壓漂移,在柵極電壓進一步增大時,由第一耗盡型器件或電阻承受過高的柵極電壓,有效抑制柵極電流;且柵極互連金屬與歐姆接觸電極之間通過介電層形成一個大電容,從而提高柵極的驅動速率。所述GaN器件進一步包括第二耗盡型器件,以在關斷過程中釋放GaN HEMT柵極帽層中積累的正電荷。本發明可以增大GaN HEMT的驅動電壓擺幅,降低驅動電流,消除閾值電壓漂移現象,從而提高GaN HEMT的動態穩定性。

(來源:金融界)

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