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目前全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)處于起步階段，并正在加速發(fā)展。我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行了全產(chǎn)業(yè)鏈布局，各環(huán)節(jié)均涌現(xiàn)出具有國際競爭力的企業(yè)。

半導(dǎo)體行業(yè)引領(lǐng)了韓國產(chǎn)業(yè)整體業(yè)績的增長。

華潤微、芯聯(lián)集成、天岳先進(jìn)3家第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)，與多家證券公司、基金管理公司、QFII等機(jī)構(gòu)齊聚一堂，深入交流第三代半導(dǎo)體的性能優(yōu)勢、應(yīng)用場景、產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程、發(fā)展趨勢，探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)。

熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要，而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。然而，開發(fā)一種能夠充分利用金剛

包含中國一汽在內(nèi)的27家創(chuàng)新聯(lián)合體共建單位共同簽署固態(tài)電池產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合體。

根據(jù)IDC最新研究顯示，隨著全球人工智能(AI)、高性能計(jì)算(HPC)需求爆發(fā)式提升，加上智能手機(jī)(Smartphone)、個(gè)人電腦(NotebookPC)

12月15日消息（南山）據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所近日公開了一項(xiàng)集成光子芯片專利，公開號(hào)：CN117170016A。專利簡

近日，芯片公司湃睿半導(dǎo)體宣布完成了由毅達(dá)資本領(lǐng)投的數(shù)千萬元A輪融資，此前，公司已完成了由德聯(lián)資本領(lǐng)投的Pre-A輪融資。本次融

近日，廣州青藍(lán)半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱廣州青藍(lán)）IGBT投產(chǎn)儀式在廣汽零部件（廣州）產(chǎn)業(yè)園舉行。廣州青藍(lán)由廣汽部件與株洲中車

近日，蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱中科重儀）自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延

VCSEL是很有發(fā)展前景的新型光電器件，也是光通信中革命性的光發(fā)射器件。VCSEL的優(yōu)異性能已引起廣泛關(guān)注，成為國際上研究的熱點(diǎn)。

高性能陶瓷基板具有優(yōu)異的機(jī)械、熱學(xué)和電學(xué)性能，在電子和半導(dǎo)體領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，可以支撐和固定半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)材料。其低

2024年半導(dǎo)體銷售市場將復(fù)蘇，年增長率達(dá)20%；受終端需求疲弱影響，供應(yīng)鏈去庫存進(jìn)程持續(xù)，雖2023下半年已見到零星短單與急單，但仍難以逆轉(zhuǎn)上半年年減20%的表現(xiàn)，預(yù)期2023年半導(dǎo)體銷售市場將年減12%。

12月5日，廣州青藍(lán)半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱廣州青藍(lán)）IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）投產(chǎn)儀式，在廣州青藍(lán)公司現(xiàn)場圓滿舉行。番禺

十四五以來，基于自發(fā)光顯示的微投影顯示光學(xué)系統(tǒng)成為了研究熱點(diǎn)。近日，在廈門召開的第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十

近日，河北同光半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱：同光股份）宣布完成F輪融資。本輪融資規(guī)模為15億元，由深創(chuàng)投制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)新材料基

材料的更替是現(xiàn)代科技進(jìn)步的根本推動(dòng)力。作為第三代半導(dǎo)體材料，立方氮化硼（c-BN）具有僅次于金剛石的硬度，在高溫下良好的化學(xué)

金剛石材料因具有超寬禁帶、高載流子遷移率、高飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性，被認(rèn)為是終極半導(dǎo)體材料，已成為國內(nèi)外研究熱

半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，氧化鎵（Ga2O3）是潛力新星超寬帶隙材料，Ga2O3 是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇。也

近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會(huì)議中心召開。期間，超寬禁帶