華中科技大學國家脈沖強磁場科學中心李亮教授團隊20日成功實現71.36特斯拉平頂脈沖磁場強度，刷新了該中心于2018年創造的64特斯拉平頂脈沖磁場強度世界紀錄
6月10日，國家重點研發計劃戰略性科技創新合作重點專項氧化鎵單片功率電子集成器件研究項目啟動會暨實施方案論證會在中山大學東
近日，工信部公示首批重點培育中試平臺初步名單。人福醫藥創新藥中試平臺、鼎康生物重組蛋白藥物中試平臺、華中數控全國產化芯片和操作系統高檔數控系統中試平臺、九峰山實驗室化合物半導體中試平臺、華星光電柔性及印刷OLED 顯示中試平臺、國創中心數字化設計與制造中試平臺等6家光谷中試平臺入選。
日前，經國務院同意，工業和信息化部、國家發展改革委、教育部、科技部、財政部、市場監管總局、金融監管總局、國家知識產權局、
國務院新聞辦公室于2025年5月7日上午9時舉行新聞發布會，請中國人民銀行、國家金融監督管理總局、中國證券監督管理委員會負責人介紹“一攬子金融政策支持穩市場穩預期”有關情況，并答記者問。
近期，寬禁帶半導體國家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團隊在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領域取得重要突破，成
國家知識產權局信息顯示，蘇州晶湛半導體有限公司申請一項名為一種發光器件的制備方法及發光器件的專利，公開號 CN 119836082 A
國家知識產權局信息顯示，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司申請一項名為一種用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及其應用的專利，
國家知識產權局信息顯示，蘇州長光華芯光電技術股份有限公司、蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司取得一項名為模式調控
近日，電科芯片所屬西南設計牽頭制定的國家標準《半導體集成電路-射頻發射器/接收器測試方法》正式實施。該標準規定了半導體集成
國家知識產權局信息顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司申請一項名為一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的專利
國家知識產權局信息顯示，英飛凌科技股份有限公司申請一項名為功率半導體器件和制造功率半導體器件的方法的專利，公開號 CN 1197
國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司申請一項名為半導體結構及其形成方法的專利，公開號CN 119767774
國家知識產權局信息顯示，黑龍江匯芯半導體有限公司申請一項名為一種集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊的專利，公開號CN
國家知識產權局信息顯示，江西譽鴻錦材料科技有限公司取得一項名為種亞垂直結構氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法的專利，授權
國家知識產權局信息顯示，蘇州無熱芯陽半導體有限公司申請一項名為一種新型襯底及其氧化物半導體場效應晶體管的專利，公開號 CN
國家知識產權局信息顯示，鎵特半導體科技（銅陵）有限公司取得一項名為一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應器的專利，授權公告號CN
國家知識產權局信息顯示，北京天科合達半導體股份有限公司申請一項名為一種在坩堝內部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的方法的
誰能把握大數據、人工智能等新經濟發展機遇，誰就把準了時代脈搏。國家主席習近平在金磚國家領導人第十四次會晤上的重要講話（20
國家知識產權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為一種氮化鎵基化合物半導體激光器的專利，公開號CN 119627617 A，申