英諾賽科(02577.HK)公告，公司發布了自主開發的1200V氮化鎵(GaN)產品，該款產品憑藉寬禁帶特性，在高壓高頻場景優勢顯著，具備零
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領軍
期待與您攜手，共同迎接化合物半導體行業的全新機遇與挑戰。讓我們相約2025年4月23-25日·武漢光谷科技會展中心，共同見證盛會的精彩綻放！
英諾賽科作為全球第三代半導體氮化鎵的領導者針對數據中心領域，開發了多系列分立和集成氮化鎵產品，能夠最大限度提升效率，減少能源浪費。
今天上午9時30分隨著鐘聲敲響從吳江走出的全球氮化鎵龍頭英諾賽科成功登陸港交所成為港股第三代半導體第一股12月30日，英諾賽科
中國氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動招股，并將于2024年12月23日結束招股。
11月28日，中國證監會國際合作司發布關于英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司境外發行上市備案通知書
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維Ga
智能駕駛時代下第三代半導體材料的技術進步給電動車電驅電控系統和電源系統帶來的新的技術進展。
諾賽科（蘇州）半導體有限公司氮化鎵項目正在快馬加鞭推進，目前主體廠房施工已完成，計劃于今年底試產，滿產后有望實現年銷售收入100億元。