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劉新宇表示，合作團隊共同開展的碳化硅載荷，已于2024年11月搭乘天舟八號貨運飛船飛向太空，開啟了在中國空間站軌道的科學試驗之旅。

安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Car

據(jù)豫基建消息，在鄭州新密市，一個總投資額高達 150 億元的半導體先進制造業(yè)產(chǎn)業(yè)園項目即將拉開序幕。該項目備受各界矚目，承載

1月10日，杰立方半導體（香港）有限公司（以下簡稱杰立方）在大灣區(qū)（深圳）工商界高峰論壇及交流會2025上，與香港工業(yè)總會（FHK

天眼查顯示，深圳基本半導體有限公司碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法專利公布，申請公布日為2024年11月29日，申請公布號為

天眼查顯示，派恩杰半導體（浙江）有限公司基于S參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設備專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申

該調(diào)查將初步評估中國的行為、政策和做法對碳化硅襯底或其他用作半導體制造投入的晶片生產(chǎn)的影響。

國家知識產(chǎn)權局信息顯示，華為技術有限公司申請一項名為碳化硅襯底及其制備方法、半導體器件、電子設備的專利，公開號 CN 119153

武漢金信新材料有限公司（以下簡稱“金信新材料”）芯片用第三代半導體8英寸碳化硅晶錠項目完成研發(fā)，通過了行業(yè)專家驗證

半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，根據(jù)破產(chǎn)資訊網(wǎng)披露的《北京世紀金光半導體有限公司管理人公開選聘審計、評估機構的公告》顯示，北京市

天岳先進與您共探SEMICON Japan 2024科技之旅！

天岳先進將繼續(xù)秉持“先進 品質(zhì) 持續(xù)”的理念，堅持自主創(chuàng)新，品質(zhì)引領，為碳化硅行業(yè)的廣闊發(fā)展貢獻天岳力量。

“碳化硅功率器件及其封裝技術 I”分會上，加拿大多倫多大學電氣與計算機工程系教授吳偉東做了“SiC 功率 MOSFET老化檢測智能柵極驅(qū)動器”的主題報告，分享了相關研究進展。

合肥賽美泰克科技有限公司在新站高新區(qū)開業(yè)運營。

安森美（onsemi，納斯達克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術

江蘇超芯星半導體有限公司近日完成了新廠房的整體搬遷

“碳化硅功率器件及其封裝技術 I”分會上，專家們齊聚，共同探討碳化硅功率器件及其封裝技術的發(fā)展。

期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，中微半導體設備（上海）股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長的CVD設備”的主題報告，分享了基于CFD模擬的SiC刀具設計優(yōu)化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結果等內(nèi)容。

”碳化硅功率器件及其封裝技術 I“上，江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理梁超做了”功率器件封裝用的高性能AlN陶瓷基板及金屬化技術“的主題報告。分享了面向功率器件封裝用陶瓷基板的發(fā)展現(xiàn)況，以及博睿陶瓷基板研究進展等內(nèi)容。

天岳先進攜全系列碳化硅襯底產(chǎn)品精彩亮相，并隆重發(fā)布了行業(yè)領先的300mm碳化硅襯底產(chǎn)品。